Главная
>
Результаты поиска для: 'Samsung galaxy s'
Результаты поиска для 'Samsung galaxy s'
Артикул: 140025
2 модуля памяти DDR4
Объем модуля 16 ГБ
Форм-фактор DIMM, 288-контактный
Частота 3200 МГц
Радиатор
CAS Latency (CL): 18
Узнать больше
Нет в наличии
Скидка
Артикул: 140024
1 модуль памяти DDR4
Объем модуля 16 ГБ
Форм-фактор DIMM, 288-контактный
Частота 2400 МГц
Радиатор
CAS Latency (CL): 15
Узнать больше
Нет в наличии
Скидка
Артикул: 140031
Тип памяти: DDR4 (260pin) SO-DIMM
Емкость: 16GB
Частота: 2400MHz (PC4-2400)
Контроль четности: Non-ECC
Буферизация: Unbuffered
Напряжение: Standard (1.2V)
Узнать больше
Нет в наличии
Скидка
Артикул: 050326
1 модуль памяти DDR4
Объем модуля 8 ГБ
Форм-фактор DIMM, 288-контактный
Частота 2666 МГц
CAS Latency (CL): 19
Узнать больше
Добавить в корзину
Артикул: 050325
1 модуль памяти DDR4
Объем модуля 4 ГБ
Форм-фактор DIMM, 288-контактный
Частота 2666 МГц
CAS Latency (CL): 19
Узнать больше
Добавить в корзину
Новый
Артикул: 012295
1 модуль памяти DDR4
объем модуля 8 ГБ
форм-фактор DIMM, 288-контактный
частота 2400 МГц
CAS Latency (CL): 17
Узнать больше
Нет в наличии
Новый
Артикул: 016647
1 модуль памяти DDR4
объем модуля 4 ГБ
форм-фактор DIMM, 288-контактный
частота 2400 МГц
CAS Latency (CL): 17
Узнать больше
Нет в наличии
Новый
Артикул: 040621
Объем памяти: 4 ГБ
Тип: DDR4 DIMM 288-pin
Тактовая частота: 2666 МГц
Тайминги: 16-18-18
Напряжение питания: 1.2 В
Пропускная способность: PC21300
Радиатор: да
Поддержка XMP: да
Узнать больше
Нет в наличии
Новый
Артикул: 240260
1 модуль памяти DDR4
Объем модуля 8 Гб
Форм-фактор DIMM, 288-контактный
Частота 2400 МГц
CAS Latency (CL): 17
Узнать больше
Нет в наличии
Скидка
Артикул: 080362
1 модуль памяти DDR4
объем модуля 4 Гб
форм-фактор DIMM, 288-контактный
частота 2400 МГц
CAS Latency (CL): 17
Узнать больше
Нет в наличии
Скидка